參數(shù)資料
型號： HB52RF1289E2
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 1 GB Registered SDRAM DIMM(1GB 寄存同步DRAM DIMM)
中文描述： 1 GB的注冊SDRAM的內(nèi)存（1GB的寄存同步的DRAM內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 9/21頁
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代理商： HB52RF1289E2
HB52RF1289E2-75B
9
Absolute Maximum Ratings
Note:
1.Respect to V
SS
DC Operating Conditions (Ta = 0 to +55
°
C)
Notes:
1.All voltage referred to V
SS
2.The supply voltage with all VCC and V
CC
Q pins must be on the same level.
3.The supply voltage with all VSS and V
SS
Q pins must be on the same level.
4.V
IH
(max) = V
CC
+ 2.0 V for pulse width
≤
3 ns at V
CC
.
5.V
IL
(min) = V
SS
– 2.0 V for pulse width
≤
3 ns at V
SS
.
V
IL
/V
IH
Clamp (Component characteristics)
This SDRAM component has V
IL
and V
IH
clamp for CK, CKE, S, DQMB and DQ pins.
Parameter
Symbol
Value
–0.5 to V
CC
+ 0.5
(
≤
4.6 (max))
–0.5 to +4.6
50
18.0
0 to +55
–50 to +100
Unit
Note
Voltage on any pin relative to V
SS
Supply voltage relative to V
SS
Short circuit output current
Power dissipation
Operating temperature
Storage temperature
V
T
V
CC
Iout
P
T
Topr
Tstg
V
V
mA
W
°
C
°
C
1
1
Parameter
Supply voltage
Symbol
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
—
Min
3.0
0
2.0
0
—
Max
3.6
0
V
CC
0.8
100
Unit
V
V
V
V
lx
Notes
1
3
1, 4
1, 5
Input high voltage
Input low voltage
Ambient illuminance
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PDF描述
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