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參數(shù)資料
| 型號： | HB52RF1289E2 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 1 GB Registered SDRAM DIMM(1GB 寄存同步DRAM DIMM) |
| 中文描述： | 1 GB的注冊SDRAM的內(nèi)存（1GB的寄存同步的DRAM內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 15/21頁 |
| 文件大小： | 95K |
| 代理商： | HB52RF1289E2 |
HB52RF1289E2-75B
15
Capacitance (Ta = 25
°
C, V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V)
Notes:
1.Capacitance measured with Boonton Meter or effective capacitance measuring method.
2.Measurement condition: f = 1 MHz, 1.4 V bias, 200 mV swing.
3.DQMB = V
IH
to disable Data-out.
4.This parameter is sampled and not 100% tested.
AC Characteristics (Ta = 0 to 55
°
C, V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V, V
SS
= 0 V)
Parameter
Input capacitance (Address)
Input capacitance (RE, CE, W)
Input capacitance (CKE)
Input capacitance (S)
Input capacitance (CK)
Input capacitance (DQMB)
Input/Output capacitance (DQ)
Symbol
C
I1
C
I2
C
I3
C
I4
C
I5
C
I6
C
I/O1
Max
25
25
45
20
45
20
25
Unit
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
Notes
1, 2, 4
1, 2, 4
1, 2, 4
1, 2, 4
1, 2, 4
1, 2, 4
1, 2, 3, 4
HB52RF1289E2-75B
Parameter
System clock cycle time
CK high pulse width
CK low pulse width
Access time from CK
Data-out hold time
CK to Data-out low impedance
CK to Data-out high impedance
Data-in setup time
Data in hold time
Address setup time
Address hold time
CKE setup time
CKE setup time for power down exit
HITA-
CHISym-
bol
t
CK
t
CKH
t
CKL
t
AC
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
DS
t
DH
t
AS
t
AH
t
CES
t
CESP
PC100
Symbol
Tclk
Tch
Tcl
Tac
Toh
Min
7.5
3.4
3.4
—
1.8
1.1
—
2.4
1.7
1.9
1.5
1.9
1.9
Max
—
—
—
6.3
—
—
6.3
—
—
—
—
—
—
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Notes
1
1
1
1, 2
1, 2
1, 2, 3
1, 4
1
1
1
1, 5
1, 5
1
Tsi
Thi
Tsi
Thi
Tsi
Tpde
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| HB52RD648DC-B | 512 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM 64-Mword 】 64-bit, 133/100 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (16 pcs of 32 M 】 8 components) PC133/100 SDRAM |
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參數(shù)描述 |
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