參數(shù)資料
型號： HB52RF1289E2
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 1 GB Registered SDRAM DIMM(1GB 寄存同步DRAM DIMM)
中文描述： 1 GB的注冊SDRAM的內(nèi)存（1GB的寄存同步的DRAM內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 2/21頁
文件大?。?/td> 95K
代理商： HB52RF1289E2
HB52RF1289E2-75B
2
Programmable CE latency: 4
Byte control by DQMB
Refresh cycles: 8192 refresh cycles/64 ms
2 variations of refresh
— Auto refresh
— Self refresh
Ordering Information
Pin Arrangement
Type No.
HB52RF1289E2-75B
Frequency CE latency
133 Mhz
Package
168-pin dual lead out socket type Gold
Contact pad
4
1 pin 10 pin11 pin
40 pin 41 pin
84 pin
85 pin 94 pin 95 pin
124 pin 125 pin
168 pin
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HB52RF329E2 256 MB Registered SDRAM DIMM(256 MB 寄存同步DRAM DIMM)
HB52RF648DC-B 512 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM 64-Mword 】 64-bit, 133/100 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (16 pcs of 32 M 】 8 components) PC133/100 SDRAM
HB52RD648DC-B 512 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM 64-Mword 】 64-bit, 133/100 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (16 pcs of 32 M 】 8 components) PC133/100 SDRAM
HB52RF649DC 512MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM
HB52RD649DC-A6B 512MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM
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參數(shù)描述
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