參數(shù)資料
型號(hào)： FDS6685
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： P-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET
中文描述： 8800 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大?。?/td> 204K
代理商： FDS6685
SOIC-8 (FS PKG Code S1)
1 : 1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 0.0774
SO-8 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
September 1998, Rev. A
9
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDS6688S 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
FDS6688 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS6689S 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
FDS6690A Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
FDS6690S 30V N-Channel PowerTrench SyncFET⑩
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDS6685 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO
FDS6685_Q 功能描述:MOSFET SO-8 SGL P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDS6688 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDS6688_04 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS6688_Q 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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