參數(shù)資料
型號(hào)： FDS6685
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： P-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET
中文描述： 8800 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 204K
代理商： FDS6685
F
FDS6685 Rev. B
Typical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage
Figure 5. Transfer Characteristics
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature
Figure 4. On-Resistance Variation
with Gate-to-Source Voltage
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= -8.8A
V
GS
= -10V
0
10
20
30
40
50
1
2
3
4
5
6
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= -5V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
2.6
0
10
20
30
40
50
-I
D
, DIRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= -4.0V
-5.0V
-6.0V
-7.0V
-8.0V
-10V
-4.5V
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
3
4
5
6
7
8
9
10
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= -4.4A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
0
10
20
30
40
50
0
1
2
3
4
5
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
-6.0V
-5.0V
-4.5V
-4.0V
-3.5V
-7.0V
V
GS
= -10V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-V
SD
,
BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
-
S
,
V
GS
= 0V
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDS6688S 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
FDS6688 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS6689S 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
FDS6690A Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
FDS6690S 30V N-Channel PowerTrench SyncFET⑩
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參數(shù)描述
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