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參數資料
| 型號： | FDS6685 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | P-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET |
| 中文描述： | 8800 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SO-8 |
| 文件頁數： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 204K |
| 代理商： | FDS6685 |
F
FDS6685 Rev. B
Typical Characteristics
(continued)
Figure 7. Gate-Charge Characteristics
Figure 8. Capacitance Characteristics
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
0.0001
0.001
001
0.1
t , TI ME (s e c)
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
001
002
005
0.1
0.2
0.5
1
T
r
S n g l e P ul s e
D = 05
01
0.05
0.02
001
02
D u t y C y c l e, D = t /t
1
2
R (t) = r(t) * R
R = 125
°
C/ W
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
0
500
1000
1500
2000
2500
0
5
10
15
20
25
30
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
ISS
C
OSS
C
RSS
f = 1 MHz
V
GS
= 0 V
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
30
35
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
-
G
,
I
D
= -8.8A
V
DS
= -5V
-10V
-15V
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
DC
10s
1s
100ms
10ms
1ms
100
μ
s
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= -10V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 125
o
C/W
T
A
= 25
o
C
0
0.001
10
20
30
40
50
0.01
0.1
1
10
100
1000
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 125
o
C/W
T
A
= 25
o
C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| FDS6688 | 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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