參數(shù)資料
型號(hào)： FDS2572
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 150V, 0.047 Ohms, 4.9A, N-Channel UltraFET Trench MOSFET
中文描述： 4.9 A, 150 V, 0.053 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA
封裝： PLASTIC, SO-8
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大?。?/td> 273K
代理商： FDS2572
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS2572 Rev. B, October 2001
F
PSPICE Electrical Model
.SUBCKT FDS2572 2 1 3 ;
CA 12 8 8e-10
Cb 15 14 8e-10
Cin 6 8 2e-9
rev August 2001
Dbody 7 5 DbodyMOD
Dbreak 5 11 DbreakMOD
Dplcap 10 5 DplcapMOD
Ebreak 11 7 17 18 157.4
Eds 14 8 5 8 1
Egs 13 8 6 8 1
Esg 6 10 6 8 1
Evthres 6 21 19 8 1
Evtemp 20 6 18 22 1
It 8 17 1
Lgate 1 9 5.61e-9
Ldrain 2 5 1.0e-9
Lsource 3 7 1.98e-9
RLgate 1 9 56.1
RLdrain 2 5 10
RLsource 3 7 19.8
Mstro 16 6 8 8 MstroMOD
Mmed 16 6 8 8 MmedMOD
Mweak 16 21 8 8 MweakMOD
Rbreak 17 18 RbreakMOD 1
Rdrain 50 16 RdrainMOD 2.1e-2
Rgate 9 20 1.47
RSLC1 5 51 RSLCMOD 1e-6
RSLC2 5 50 1e3
Rsource 8 7 RsourceMOD 1.5e-2
Rvthres 22 8 RvthresMOD 1
Rvtemp 18 19 RvtempMOD 1
S1a 6 12 13 8 S1AMOD
S1b 13 12 13 8 S1BMOD
S2a 6 15 14 13 S2AMOD
S2b 13 15 14 13 S2BMOD
Vbat 22 19 DC 1
ESLC 51 50 VALUE={(V(5,51)/ABS(V(5,51)))*(PWR(V(5,51)/(1e-6*65),3))}
.MODEL DbodyMOD D (IS=4e-11 N=1.131 RS=4.4e-3 TRS1=2e-3 TRS2=1e-6
+ CJO=1.44e-9 M=0.67 TT=7.4e-8 XTI=4.2)
.MODEL DbreakMOD D (RS=0.38 TRS1=2e-3 TRS2=-8.9e-6)
.MODEL DplcapMOD D (CJO=5e-10 IS=1e-30 N=10 M=0.7)
.MODEL MstroMOD NMOS (VTO=4.05 KP=85 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u)
.MODEL MmedMOD NMOS (VTO=3.35 KP=5 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=1.47)
.MODEL MweakMOD NMOS (VTO=2.76 KP=0.05 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=14.7 RS=0.1)
.MODEL RbreakMOD RES (TC1=1.1e-3 TC2=-3e-7)
.MODEL RdrainMOD RES (TC1=1e-2 TC2=3e-5)
.MODEL RSLCMOD RES (TC1=3e-3 TC2=1e-6)
.MODEL RsourceMOD RES (TC1=4.5e-3 TC2=1e-6)
.MODEL RvtempMOD RES (TC1=-5e-3 TC2=2e-6)
.MODEL RvthresMOD RES (TC1=-3e-3 TC2=-1.4e-5)
.MODEL S1AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-10 VOFF=-2)
.MODEL S1BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-2 VOFF=-10)
.MODEL S2AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-0.8 VOFF=0.3)
.MODEL S2BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=0.3 VOFF=-0.8)
.ENDS
Note: For further discussion of the PSPICE model, consult
A New PSPICE Sub-Circuit for the Power MOSFET Featuring Global
Temperature Options
; IEEE Power Electronics Specialist Conference Records, 1991, written by William J. Hepp and C. Frank
Wheatley.
18
22
+
-
6
8
+
-
5
51
+
-
19
8
+
-
17
18
-
6
8
+
-
5
8
+
-
RBREAK
RVTEMP
VBAT
RVTHRES
IT
17
18
19
22
12
13
15
S1A
S1B
S2A
S2B
CA
CB
EGS
EDS
14
8
13
8
14
13
MWEAK
EBREAK
DBODY
RSOURCE
SOURCE
3
11
7
LSOURCE
RLSOURCE
CIN
RDRAIN
EVTHRES
16
21
8
MMED
MSTRO
DRAIN
2
LDRAIN
RLDRAIN
DBREAK
DPLCAP
ESLC
RSLC1
51
10
5
50
RSLC2
1
GATE
RGATE
EVTEMP
9
ESG
LGATE
RLGATE
20
+
-
+
6
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PDF描述
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