參數(shù)資料
型號(hào)： FDS2572
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 150V, 0.047 Ohms, 4.9A, N-Channel UltraFET Trench MOSFET
中文描述： 4.9 A, 150 V, 0.053 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA
封裝： PLASTIC, SO-8
文件頁(yè)數(shù)： 5/12頁(yè)
文件大小： 273K
代理商： FDS2572
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS2572 Rev. B, October 2001
F
Figure 11. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 12. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Currents
Typical Characteristic
(Continued)
10
100
1000
0.1
1
10
150
5000
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
ISS
=
C
GS
+ C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
C
RSS
=
C
GD
V
GS
=
0V, f
=
1MHz
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
30
35
V
G
,
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
DD
= 75V
I
D
= 4.9A
I
D
= 1A
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
Test Circuits and Waveforms
Figure 13. Unclamped Energy Test Circuit
Figure 14. Unclamped Energy Waveforms
Figure 15. Gate Charge Test Circuit
Figure 16. Gate Charge Waveforms
t
P
V
GS
0.01
L
I
AS
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
0V
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
AS
t
AV
0
V
GS
+
-
V
DS
V
DD
DUT
I
g(REF)
L
D1
V
DD
Q
g(TH)
V
GS
= 2V
Q
g(TOT)
V
GS
= 10V
V
DS
V
GS
I
g(REF)
0
0
Q
gs
Q
gd
Q
gs2
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PDF描述
FDS2582 12 AMP MINIATURE POWER RELAY
FDS2670 200V N-Channel PowerTrench MOSFET
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FDS2734 N-Channel UItraFET Trench MOSFET 250V, 3.0A, 117mohm
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參數(shù)描述
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