參數(shù)資料
型號： FDMJ1023PZ
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Dual P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
中文描述： 2.9 mA, 20 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, SC-75, MICROFET-6
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大小： 257K
代理商： FDMJ1023PZ
F
2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMJ1023PZ Rev.B
www.fairchildsemi.com
4
Figure 7.
0
1
2
3
4
5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
I
D
= -2.9A
V
DD
= -5V
V
DD
= -3V
-
G
,
Q
g
, GATE CHARGE(nC)
V
DD
= -7V
Gate Charge Characteristics
Figure 8.
0.1
1
10
10
100
1000
20
f = 1MHz
V
GS
= 0V
C
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
rss
C
oss
C
iss
Capacitance vs Drain
to Source Voltage
Figure 9.
0
3
6
9
12
15
10
-10
10
-9
10
-8
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
V
DS
= 0V
T
J
= 25
o
C
T
J
= 150
o
C
-V
GS,
GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
g
,
G
Gate Leakage Current vs Gate to
Source Voltage
Figure 10. Forward Bias Safe
Operating Area
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
60
100us
DC
10s
1s
100ms
10ms
1ms
D
,
-V
DS
, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
THIS AREA IS
LIMITED BY r
DS(on)
SINGLE PULSE
T
J
= MAX RATED
R
θ
JA
= 182
o
C/W
T
A
= 25
o
C
30
Figure 11. Single Pulse Maximum Power Dissipation
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
1
10
100
V
GS
= -4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 182
o
C/W
T
A
= 25
o
C
P
(
,
t, PULSE WIDTH (s)
0.5
Typical Characteristics
T
J
= 25°C unless otherwise noted
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