參數(shù)資料
型號(hào)： FDMC5614P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： P-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 5.7 A, 60 V, 0.1 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： 3.30 X 3.30 MM, ROHS COMPLIANT, MLP-8
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
文件大?。?/td> 299K
代理商： FDMC5614P
F
FDMC5614P Rev. B
www.fairchildsemi.com
4
Figure 7.
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
Q
g
,
GATE CHARGE (nC)
-
G
,
I
D
= -5.7A
V
DS
= -20V
-40V
-30V
Gate Charge Characteristics
Figure 8.
10
100
1000
10000
0
10
20
30
40
50
60
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
iss
C
rss
C
oss
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Capacitance vs Drain to Source Voltage
Figure 9.
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
DC
10s
1s
100ms
10ms
1ms
100us
r
DS(on)
LIMIT
V
GS
= 10V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 108
o
C/W
T
A
= 25
o
C
Forward Bias Safe Operation Area
Figure 10.
0
1
2
3
4
5
6
7
25
50
75
100
125
150
I
D
,
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE(oC)
V
GS
= -10V
V
GS
= -4.5V
R
θ
JA
= 24
o
C/W
Maximum Continuous Drain Current vs
Ambient Temperature
Figure 11.
0
0.0001
30
60
90
120
150
180
0.001
0.01
0.1
t
1
, PULSE WIDTH (s)
1
10
100
1000
P
SINGLE PULSE
V
GS
= -10 V
T
A
= 25
o
C
I = I
25
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
o
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
150
-----125
T
A
–
Single Pulse Maximum Power Dissipation
Typical Characteristics
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PDF描述
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