參數(shù)資料
型號(hào)： FDMC2610_07
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： N-Channel UltraFET Trench㈢ MOSFET 200V, 9.5A, 200mヘ
中文描述： N溝道UltraFET海溝㈢MOSFET的為200V，9.5A，200米ヘ
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
文件大?。?/td> 347K
代理商： FDMC2610_07
F
M
FDMC2610 Rev.C
www.fairchildsemi.com
4
Figure 7.
0
3
6
9
12
15
0
2
4
6
8
10
V
DD
= 100V
V
DD
=50V
V
G
,
Q
g
, GATE CHARGE(nC)
Gate Charge Characteristics
V
DD
= 150V
Figure 8.
0.1
1
10
100
10
100
1000
f = 1MHz
V
GS
= 0V
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Capacitance vs Drain
to Source Voltage
Figure 9.
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
1
2
3
4
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
I
A
,
(
A
)
t
AV
, TIME IN AVALANCHE(ms)
Unclamped Inductive
Switching Capability
Figure 10.
Current vs Case Temperature
25
50
T
C
, CASE TEMPERATURE
(
Maximum Continuous Drain
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
R
θ
JC
= 3
o
C/W
V
GS
= 6V
V
GS
= 10V
I
D
,
o
C
)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100us
1ms
10ms
100ms
1s
DC
D
,
V
DS
, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
40
r
DS(on)
LIMITED
SINGLE PULSE
T
J
= MAX RATED
R
θ
JA
=135
O
C
T
A
= 25
O
C
700
Figure 12.
T
A
= 25
o
C
I = I
25
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
o
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
150
-----------------------
T
A
–
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
1
10
100
0.5
V
GS
= 10V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
=135
O
C
P
(
P
)
,
t, PULSE WIDTH (s)
Single Pulse Maximum
Power Dissipation
500
Typical Characteristics
T
J
= 25°C unless otherwise noted
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PDF描述
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