參數(shù)資料
型號： FDMB3800N
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 4800 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, 3 X 1.90 MM, 0.80 MM HEIGHT, MICROFET-8
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大?。?/td> 286K
代理商： FDMB3800N
F
FDMB3800N Rev. C
www.fairchildsemi.com
6
Dimensional Outline and Pad Layout
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDMB506P P-Channel 1.8V Logic Level PowerTrench MOSFET
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FDMC2523P P-Channel QFET -150V, -3A, 1.5ohm
FDMC2610_07 N-Channel UltraFET Trench㈢ MOSFET 200V, 9.5A, 200mヘ
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參數(shù)描述
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FDMB3800N_12 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel PowerTrench?? MOSFET 30V, 4.8A, 40m
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FDMB506P 功能描述:MOSFET LOW_VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDMB668P 功能描述:MOSFET -20V P-Ch 1.8V Lgic Lvl PT MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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