參數(shù)資料
型號： FDMB3800N
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 4800 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, 3 X 1.90 MM, 0.80 MM HEIGHT, MICROFET-8
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 286K
代理商： FDMB3800N
F
FDMB3800N Rev. C
www.fairchildsemi.com
4
Figure 7.
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
Gate Charge Characteristics
V
G
,
I
D
= 4.8A
V
DS
= 10V
20V
15V
Figure 8.
0
100
200
300
400
500
600
0
4
8
12
16
20
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
iss
C
rss
C
oss
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Capacitance vs Drain to Source Voltage
Figure 9.
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
DC
10s
1s
100ms
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= 10V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 165
o
C/W
T
A
= 25
o
C
10ms
1ms
100us
Forward Bias Safe Operating Area
Figure 10.
0
1
2
3
4
5
6
25
50
75
100
125
150
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
o
C)
I
D
,
V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V
R
θ
JA
= 80°C/W
Maximum Continuous Drain Current vs
Ambient Temperature
Figure 11.
0
0.0001
10
20
30
40
50
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t, PULSE WIDTH (sec)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 165°C/W
T
A
= 25°C
Single Pulse Maximum Power Dissipation
Typical Characteristics
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PDF描述
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