參數(shù)資料
型號(hào)： FDMA530PZ
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Single P-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -6.8A, 35mohm
中文描述： 6.8 A, 30 V, 0.065 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, 6 PIN
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 236K
代理商： FDMA530PZ
F
M
FDMA530PZ Rev.B
www.fairchildsemi.com
4
Figure 7.
0
3
6
9
12
15
18
0
2
4
6
8
10
I
D
= -6.8A
V
DD
= -15V
V
DD
= -10V
-
G
,
Q
g
, GATE CHARGE(nC)
V
DD
= -20V
Gate Charge Characteristics
Figure 8.
0.1
1
10
100
1000
2000
50
f = 1MHz
V
GS
= 0V
C
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
rss
C
oss
C
iss
20
Capacitance vs Drain
to Source Voltage
Figure 9.
vs Gate to Source Voltage
0
5
10
15
20
25
30
35
1E-9
1E-8
1E-7
1E-6
1E-5
1E-4
1E-3
V
GS
= 0V
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE(V)
-
g
,
Gate Leakage Current
Figure 10.
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
V
GS
= -4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
=
145
T
A
=
25
o
C
o
C/W
1s
10s
DC
100ms
10ms
1ms
100us
r
DS(on)
LIMIT
-
D
,
-VDS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Forward Bias Safe
Operating Area
60
Figure 11.
10
-4
10
-3
10
t, PULSE WIDTH (s)
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
0
30
60
90
120
150
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 145
T
A
=25
o
C/W
o
C
P
(
P
)
,
Single Pulse Maximum
Power Dissipation
Figure 12. Transient Thermal
Response Curve
10
-3
10
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
0.01
0.1
1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
N
I
θ
J
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
2
P
DM
t
1
t
2
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
2
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JA
x R
θ
JA
+ T
A
Typical Characteristics
T
J
= 25°C unless otherwise noted
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PDF描述
FDMB3800N_0610 Dual N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 30V, 4.8A, 40mз
FDMB3800N 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDMB506P P-Channel 1.8V Logic Level PowerTrench MOSFET
FDMB668P P-Channel 1.8V Logic Level PowerTrench MOSFET -20V, -6.1A, 35mohm
FDMC2523P_07 P-Channel QFET -150V, -3A, 1.5ヘ
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