參數(shù)資料
型號(hào)： FDM606P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： P-Channel 1.8V Logic Level Power Trench MOSFET
中文描述： 6.8 A, 20 V, 0.03 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： MICROFET-10
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 146K
代理商： FDM606P
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FDM606P Rev. C,
F
Figure 11. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 12. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Currents
Figure 13. Switching Time vs Gate Resistance
Typical Characteristic
(Continued) T
A
= 25°C unless otherwise noted
100
1000
0.1
1
10
20
4000
C
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
=
C
GS
+ C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
C
RSS
=
C
GD
0
2
4
6
0
6
12
18
24
-
G
,
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
DD
= -10V
I
D
= -6.8A
I
D
= -1A
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
0
100
200
300
400
0
10
20
30
40
50
S
R
GS
, GATE TO SOURCE RESISTANCE (
)
V
GS
= -4.5V, V
DD
= -10V, I
D
= -3.0A
t
d(OFF)
t
r
t
d(ON)
t
f
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDM6296 CAP CER 47000PF 100V Y5V 1206
FDMA1023PZ Dual P-Channel PowerTrench MOSFET -20V, -3.7A, 72mohm
FDMA1025P Dual P-Channel PowerTrench MOSFET -20V, -3.1A, 105mohm
FDMA1027P CAP CER 10UF 6.3V X5R 1206
FDMA1028NZ 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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FDM70 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Logic IC
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