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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FDM3622 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 4.4 A, 100 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | 3.30 X 3.30 MM, LEAD FREE, MLP-8 |
| 文件頁數(shù)： | 6/11頁 |
| 文件大小： | 231K |
| 代理商： | FDM3622 |
2005 Fairchild Semiconductor Corporation
FDM3622 Rev. A
www.fairchildsemi.com
F
N
6
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Currents
Typical Characteristics
T
C
= 25°C unless otherwise noted
0.6
0.8
1.0
1.2
-80
-40
0
40
80
120
160
N
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
μ
A
T
0.9
1.0
1.1
1.2
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
I
D
= 250
μ
A
B
10
100
1000
0.1
1
10
100
1200
C
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
=
C
GS
+ C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
C
RSS
=
C
GD
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
0
2
4
6
8
10
0
3
6
9
12
15
V
G
,
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
DD
= 50V
D
= 4.4A
I
D
= 1A
WAVEFORMS IN
DESI
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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