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參數(shù)資料
| 型號： | FDM3622 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 4.4 A, 100 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | 3.30 X 3.30 MM, LEAD FREE, MLP-8 |
| 文件頁數(shù)： | 4/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 231K |
| 代理商： | FDM3622 |
2005 Fairchild Semiconductor Corporation
FDM3622 Rev. A
www.fairchildsemi.com
F
N
4
Typical Characteristics
T
C
= 25°C unless otherwise noted
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs
Ambient Temperature
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Ambient Temperature
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Figure 4. Peak Current Capability
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
o
C)
P
0
0
25
50
75
100
150
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
0
2
4
6
25
50
75
100
125
150
I
D
,
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= 10V
0.01
0.1
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
2
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
T
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JA
x R
θ
JA
+ T
A
P
DM
t
1
t
2
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.5
SINGLE PULSE
10
100
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
3
200
I
D
,
t, PULSE WIDTH (s)
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
V
GS
= 10V
T
A
= 25
o
C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
o
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I
25
150 - T
A
125
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PDF描述 |
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