參數(shù)資料
型號： FDG313N
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Digital FET, N-Channel
中文描述： 950 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SC-70, 6 PIN
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大小： 713K
代理商： FDG313N
SC70-6 (FS PKG Code 76)
SC70-6 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
March 2000, Rev. B
1:1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 0.0055
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDG314P Digital FET, P-Channel
FDG315 N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDG315N CAP CER 100PF 630VDC U2J 1206
FDG316P CAP CER 1000PF 630VDC U2J 1206
FDG326 CAP CER 150PF 630VDC U2J 1206
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDG313N 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET
FDG313N_D87Z 功能描述:MOSFET SC70-6 N-CH 25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDG314P 功能描述:MOSFET SC70-6 P-CH -25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDG314P_Q 功能描述:MOSFET SC70-6 P-CH -25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDG315 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
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