參數(shù)資料
型號(hào)： FDG313N
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Digital FET, N-Channel
中文描述： 950 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SC-70, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 713K
代理商： FDG313N
F
FDG313N Rev. C
Typical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage.
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation
with Gate-to-Source Voltage.
1
2
3
4
5
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
T = 25°C
I = 0.5A
T = 125°C
A
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
D
V = 4.5 V
I = 0.95 A
R
D
0
1
2
3
4
0
0.5
1
1.5
2
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = 4.5V
3.0V
2.5V
1.5V
2.0V
0
0.5
1
1.5
2
0.5
1
1.5
2
2.5
I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = 2.0V
2.5V
3.0V
3.5V
4.5V
4.0V
R
D
0
0.2
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
I
S
J
25°C
-55°C
V = 0V
GS
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
25°C
125°C
V = 5.0V
J
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDG314P Digital FET, P-Channel
FDG315 N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDG315N CAP CER 100PF 630VDC U2J 1206
FDG316P CAP CER 1000PF 630VDC U2J 1206
FDG326 CAP CER 150PF 630VDC U2J 1206
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參數(shù)描述
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FDG314P 功能描述:MOSFET SC70-6 P-CH -25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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