型號(hào): | FDG313N |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類(lèi): | 小信號(hào)晶體管 |
英文描述: | Digital FET, N-Channel |
中文描述: | 950 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
封裝: | SC-70, 6 PIN |
文件頁(yè)數(shù): | 5/8頁(yè) |
文件大小: | 713K |
代理商: | FDG313N |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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FDG314P | Digital FET, P-Channel |
FDG315 | N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
FDG315N | CAP CER 100PF 630VDC U2J 1206 |
FDG316P | CAP CER 1000PF 630VDC U2J 1206 |
FDG326 | CAP CER 150PF 630VDC U2J 1206 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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FDG313N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
FDG313N_D87Z | 功能描述:MOSFET SC70-6 N-CH 25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FDG314P | 功能描述:MOSFET SC70-6 P-CH -25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FDG314P_Q | 功能描述:MOSFET SC70-6 P-CH -25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FDG315 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |