型號(hào): | FDD306P |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類(lèi): | JFETs |
英文描述: | P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET |
中文描述: | 6.7 A, 12 V, 0.028 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
封裝: | TO-252, 3 PIN |
文件頁(yè)數(shù): | 5/5頁(yè) |
文件大?。?/td> | 505K |
代理商: | FDD306P |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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FDD330003 | 功能描述:OSC 133.33MHZ 3.3V SMD RoHS:是 類(lèi)別:晶體和振蕩器 >> 振蕩器 系列:SaRonix-eCera™ FD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:VG-4512CA 類(lèi)型:VCXO 頻率:153.6MHz 功能:三態(tài)(輸出啟用) 輸出:LVPECL 電源電壓:3.3V 頻率穩(wěn)定性:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 電流 - 電源(最大):60mA 額定值:- 安裝類(lèi)型:表面貼裝 尺寸/尺寸:0.276" L x 0.197" W(7.00mm x 5.00mm) 高度:0.071"(1.80mm) 封裝/外殼:6-SMD,無(wú)引線(DFN,LCC) 包裝:Digi-Reel® 電流 - 電源(禁用)(最大):- 其它名稱:SER3790DKR |
FDD3510H | 功能描述:MOSFET 80V Dual N & P-Chan PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FDD3570 | 功能描述:MOSFET 80V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
FDD3570_0011 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:80V N-Channel PowerTrench MOSFET |
FDD3580 | 功能描述:MOSFET 80V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |