參數(shù)資料
型號(hào)： FDD306P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
中文描述： 6.7 A, 12 V, 0.028 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： TO-252, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 505K
代理商： FDD306P
3
www.fairchildsemi.com
FDD306P Rev. C
F
Typical Characteristics
0
9
18
27
36
45
54
0
1
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
2
3
4
-
D
,
-1.8V
-2.0V
-2.5V
V
GS
= -4.5V
-3.0V
-3.5V
-4.0V
0.5
1
1.5
2
2.5
0
9
18
27
36
45
54
-I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= -1.8V
-2.0V
-2.5V
-4.5V
-3.0V
-3.5V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
R
D
,
I
D
= -6.7A
V
GS
= -4.5V
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0
2
4
6
8
10
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= -3.4A
T
A
= 125
°
C
T
A
= 25
°
C
Figure 3. On-Resistance Variation
withTemperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
9
18
27
36
45
54
0
1
2
3
4
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
T
A
= -55
°
C
25
°
C
V
DS
= - 5V
125
°
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
-
S
,
T
A
= 125
°
C
25
°
C
-55
°
C
V
GS
= 0V
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
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PDF描述
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