參數(shù)資料
型號(hào)： FDD306P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
中文描述： 6.7 A, 12 V, 0.028 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： TO-252, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大小： 505K
代理商： FDD306P
4
www.fairchildsemi.com
FDD306P Rev. C
F
Typical Characteristics
0
1
2
3
4
5
0
4
8
12
16
20
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
-
G
,
I
D
= -6.7A
V
DS
= -4V
-8V
-6V
0
400
800
1200
1600
2000
2400
0
3
6
9
12
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
iss
C
rss
C
oss
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
DC
10s
1s
100ms
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
=-4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 96
o
C/W
T
A
= 25
o
C
10ms
1ms
0
0.001
5
10
15
20
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 96
°
C/W
T
A
= 25
°
C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
r
T
R
θ
JA
(t) = r(t) * R
θ
JA
R
θ
JA
= 96
°
C/W
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/t
2
P(pk)
t
1
t
2
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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