參數(shù)資料
型號(hào)： FDD306P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
中文描述： 6.7 A, 12 V, 0.028 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： TO-252, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大小： 505K
代理商： FDD306P
2005 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD306P Rev. C
1
www.fairchildsemi.com
January 2005
F
FDD306P
P-Channel 1.8V Specified PowerTrench
MOSFET
Features
■
–6.7 A, –12 V.
R
R
R
DS(ON)
DS(ON)
DS(ON)
= 28 m
= 41 m
= 90 m
@ V
@ V
@ V
GS
GS
GS
= –4.5 V
= –2.5 V
= –1.8 V
■
Fast switching speed
High performance trench technology for extremely
low R
DS(ON)
High power and current handling capability
■
■
Applications
■
DC/DC converter
General Description
This P-Channel 1.8V Specified MOSFET uses Fairchild’s
advanced low voltage PowerTrench process. It has been opti-
mized for battery power management.
Absolute Maximum Ratings
T
A
=25°C unless otherwise noted
Package Marking and Ordering Information
Symbol
Parameter
Ratings
Units
V
DSS
Drain-Source Voltage
–12
V
V
GSS
Gate-Source Voltage
±
8
V
I
D
Drain Current
– Continuous
(Note 3)
–6.7
A
– Pulsed
(Note 1a)
–54
P
D
Power Dissipation for Single Operation
(Note 1)
52
W
(Note 1a)
3.8
(Note 1b)
1.6
T
J
, T
STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
–55 to +175
°
C
Thermal Characteristics
R
θ
JC
Thermal Resistance, Junction-to-Case
(Note 1)
2.9
°
°
°
C/W
R
θ
JA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
(Note 1a)
40
C/W
R
θ
JA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
(Note 1b)
96
C/W
Device Marking
Device
Reel Size
Tape width
Quantity
FDD306P
FDD306P
13’’
12mm
2500 units
G
S
D
TO-252
S
G
D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDD3570 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD3580 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
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FDD3672 N-Channel UltraFET Trench MOSFET 100V, 44A, 28mз
FDD3680 FAST SWITCHING DIODE_1N4148_SOD-323__
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參數(shù)描述
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