參數(shù)資料
型號(hào)： FDC6432SH
廠(chǎng)商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 12V P-Channel PowerTrench MOSFET, 30V PowerTrench SyncFET
中文描述： 2400 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-6
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 199K
代理商： FDC6432SH
FDC6432SH Rev B (W)
Typical Characteristics : Q1
0
2
4
6
8
0
1
2
3
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
V
GS
= 10V
6.0V
3.0V
3.5V
4.5V
2.5V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0
2
4
6
8
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= 3.0V
4.5V
6.0V
4.0V
10V
5.0V
3.5V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= 2.4A
V
GS
= 10V
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
2
4
6
8
10
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= 1.2A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
1
2
3
4
5
6
7
1
1.5
2
2.5
3
3.5
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= 5V
0.001
0.01
0.1
1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
V
SD
,
BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
S
,
V
GS
= 0V
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
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