參數(shù)資料
型號(hào)： FDC6432SH
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 12V P-Channel PowerTrench MOSFET, 30V PowerTrench SyncFET
中文描述： 2400 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-6
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 199K
代理商： FDC6432SH
FDC6432SH Rev B (W)
Electrical Characteristics
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Q
Min
Typ
Max Units
Drain-Source Diode Characteristics
Drain-Source Diode Forward
Voltage
V
SD
V
GS
= 0 V, I
S
= 0.7A, Note 2
V
GS
= 0 V, I
S
= –0.8A, Note 2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
0.6
–0.7
10
24
0.8
–0.5
4
6
700
1200
mV
t
RR
Reverse Recovery Time
ns
I
RM
Maximum Reverse Recovery
Current
A
Q
RR
Reverse Recovery Charge
For Q1:
IF = 2.4A, dIF/dt = 300A/μs
For Q2:
IF = –2.5A, dIF/dt = 100A/μs
nC
Notes:
1.
R
θ
JA
is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistance where the case thermal reference is defined as the solder mounting surface of
the drain pins. R
θ
JC
is guaranteed by design while R
θ
CA
is determined by the user's board design.
a)
100°C/W when
mounted on a 1in
2
pad
of 2 oz copper
b)
175°C/W when mounted
on a minimum pad of 2 oz
copper
Scale 1 : 1 on letter size paper
2.
Pulse Test: Pulse Width < 300
μ
s, Duty Cycle < 2.0%
F
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