參數(shù)資料
型號(hào)： FDB8860
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Logic Level PowerTrench㈢ MOSFET 30V, 80A, 2.6mOhm
中文描述： 31 A, 30 V, 0.0027 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 6/7頁(yè)
文件大小： 261K
代理商： FDB8860
F
FDB8860 Re
v A
www.fairchildsemi.com
6
Figure 11.
-80
-40
0
40
80
120
160
200
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
N
T
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE
(
o
C
)
V
GS
= V
DS
I
D
= 250
μ
A
Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
-40
0
40
80
120
160
200
0.-80
0.95
1.00
1.05
1.10
N
B
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE
(
o
C
)
I
D
= 1mA
Figure 13.
0.1
1
10
1000
10000
C
(
30
C
rss
C
oss
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
iss
f = 1MHz
V
GS
= 0V
500
20000
Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 14.
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180
0
2
4
6
8
10
I
D
= 1A
V
G
,
(
V
)
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
DD
= 15V
I
D
= 80A
Gate Charge vs Gate to Source Voltage
Typical Characteristics
T
J
= 25°C unless otherwise noted
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PDF描述
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