參數(shù)資料
型號(hào)： FDB8860
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Logic Level PowerTrench㈢ MOSFET 30V, 80A, 2.6mOhm
中文描述： 31 A, 30 V, 0.0027 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
文件大?。?/td> 261K
代理商： FDB8860
F
FDB8860 Re
v A
www.fairchildsemi.com
4
Typical Characteristics
T
J
= 25°C unless otherwise noted
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs Case
Temperature
0
25
50
75
100
125
150
175
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
P
T
C
, CASE TEMPERATURE
(
o
C
)
Figure 2.
25
50
75
100
125
150
175
0
75
150
225
300
V
GS
= 10V
V
GS
= 5V
CURRENT LIMITED
BY PACKAGE
I
D
,
T
C
, CASE TEMPERATURE
(
o
C
)
Maximum Continuous Drain Current vs
Case Temperature
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0.01
0.1
1
N
I
θ
J
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
2
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
2
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JC
x R
θ
JC
+ T
C
P
DM
t
1
t
2
Figure 4. Peak Current Capability
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
100
1000
I
(
,
(
A
)
t, PULSE WIDTH (s)
SINGLE PULSE
3000
50
T
C
= 25
o
C
I = I
25
175 - T
C
150
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
o
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
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PDF描述
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FDB8880 N-Channel PowerTrench MOSFET
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參數(shù)描述
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