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參數資料
| 型號： | EDL5132CBMA-10-E |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512M bits Mobile RAM MCP 2 pcs of 256Mb components (16M words x 32 bits) |
| 中文描述： | 16M X 32 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 7 ns, PBGA90 |
| 封裝： | LEAD FREE, FBGA-90 |
| 文件頁數： | 29/62頁 |
| 文件大小： | 570K |
| 代理商： | EDL5132CBMA-10-E |
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EDL5132CBMA
Preliminary Data Sheet E0490E30 (Ver. 3.0)
29
Operation of the Mobile RAM
Precharge
The precharge command can be issued anytime after tRAS
min. is satisfied. Soon after the precharge command is
issued, precharge operation performed and the synchronous DRAM enters the idle state after tRP is satisfied. The
parameter tRP is the time required to perform the precharge. The earliest timing in a read cycle that a precharge
command can be issued without losing any data in the burst is as follows.
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
Burst length=4
READ
READ
Q1
Q2
Q3
Q4
PRE
Hi-Z
Q1
Q2
Q3
Q4
PRE
Hi-Z
(t
RAS
must be satisfied)
CLK
Command
/CAS latency = 2
DQ
Command
/CAS latency = 3
DQ
T8
Precharge
In order to write all data to the memory cell correctly, the asynchronous parameter tDPL must be satisfied. The tDPL
(min.) specification defines the earliest time that a precharge command can be issued. Minimum number of clocks is
calculated by dividing tDPL (min.) with clock cycle time. In summary, the precharge command can be issued relative
to reference clock that indicates the last data word is valid. In the following table, minus means clocks before the
reference; plus means time after the reference.
/CAS latency
Read
Write
2
3
-1
-2
+tDPL(min.)
+tDPL(min.)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDL5132CBMA | 512M bits Mobile RAM MCP 2 pcs of 256Mb components (16M words x 32 bits) |
| EDS1232CABB | 128M bits SDRAM |
| EDS1232CASE-1A-E | ER 8C 7#16 1#12 PIN RECP LINE |
| EDS1232CASE-1AL-E | 128M bits SDRAM (4M words x 32 bits) |
| EDS1232AASE-60-E | 128M bits SDRAM (4M words x 32 bits) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| EDL6416CBBH | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:64M bits Mobile RAM? |
| EDL6416CBBH-75-F | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:64M bits Mobile RAM? |
| EDLC252520-351-2F-21 | 制造商:TDK 功能描述:CAP SUPER 350MF 3.2V SMD 制造商:TDK 功能描述:Supercapacitors / Ultracapacitors EDLC 350mF 5.5volts 70mOhm |
| EDLEN204A3R3S | 功能描述:超級電容/超級電容器 0.20F 3.3V RoHS:否 制造商:Murata 電容:350 mF 容差: 電壓額定值:4.2 V ESR:60 mOhms 工作溫度范圍:- 30 C to + 70 C 端接類型:SMD/SMT 引線間隔: 尺寸:18.5 mm W x 20.5 mm L x 3 mm H |
| EDLEN204B3R3S | 功能描述:超級電容/超級電容器 0.20F 3.3V RoHS:否 制造商:Murata 電容:350 mF 容差: 電壓額定值:4.2 V ESR:60 mOhms 工作溫度范圍:- 30 C to + 70 C 端接類型:SMD/SMT 引線間隔: 尺寸:18.5 mm W x 20.5 mm L x 3 mm H |
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