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參數(shù)資料
| 型號： | EDL5132CBMA-10-E |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512M bits Mobile RAM MCP 2 pcs of 256Mb components (16M words x 32 bits) |
| 中文描述： | 16M X 32 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 7 ns, PBGA90 |
| 封裝： | LEAD FREE, FBGA-90 |
| 文件頁數(shù)： | 1/62頁 |
| 文件大?。?/td> | 570K |
| 代理商： | EDL5132CBMA-10-E |
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Document No. E0490E30 (Ver. 3.0)
Date Published September 2004 (K) Japan
URL: http://www.elpida.com
Elpida Memory, Inc. 2004
PRELIMINARY DATA SHEET
512M bits Mobile RAM MCP
2 pcs of 256Mb components
EDL5132CBMA (16M words
×
32 bits)
Description
The EDL5132CBMA is a 512M bits Mobile RAM MCP
(Multi Chip Package) organized as 4,194,304 words
×
32 bits
×
4 banks, 2 pieces of 256M bits Mobile RAM in
one package. It is packaged in 90-ball FBGA.
Features
Low voltage power supply
VDD:
1.7V to 1.95V
VDDQ: 1.7V to 1.95V
Wide temperature range (
25
°
C to 85
°
C)
Programmable Partial Array Self Refresh
Programmable Driver Strength
Auto Temperature Compensated Self Refresh by
built-in temperature sensor.
Deep power down mode
Fully Synchronous Dynamic RAM, with all signals
referenced to a positive clock edge
Pulsed interface
Possible to assert random column address in every
cycle
Quad internal banks controlled by BA0 and BA1
Byte control by DQM
Wrap sequence = Sequential/ Interleave
/CAS latency (CL) = 2, 3
Automatic precharge and controlled precharge
Auto refresh and self refresh
×
32 organization
8,192 refresh cycles/64ms
Burst termination by Burst stop command and
Precharge command
FBGA package with lead free solder (Sn-Ag-Cu)
Pin Configurations
/xxx indicates active low signal.
DQ26
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
2
3
4
5
6
7
8
9
DQ28
VSSQ
VSSQ
VDDQ
VSS
A4
A7
CLK
DQ24
VDDQ
DQ27
DQ29
DQ31
DQM3
A5
A8
CKE
VSS
VSSQ
DQ25
DQ30
NC
A3
A6
A12
A9
VDD
VDDQ
DQ22
DQ17
NC
A2
A10
NC
BA0
DQ23
VSSQ
DQ20
DQ18
DQ16
DQM2
A0
BA1
/CS
DQ21
DQ19
VDDQ
VDDQ
VSSQ
VDD
A1
A11
/RAS
(Top view)
DQM1
NC
NC
/CAS
/WE DQM0
VDDQ DQ8
VSS
VDD
DQ7 VSSQ
VSSQ DQ10 DQ9
DQ6
DQ5 VDDQ
VSSQ DQ12 DQ14
DQ1
DQ3 VDDQ
DQ11 VDDQ VSSQ
VDDQ VSSQ DQ4
DQ13 DQ15 VSS
VDD
DQ0
DQ2
90-ball FBGA
Address inputs
Bank select address
Data-input/output
Chip select
Row address strobe
Column address strobe
Write enable
DQ mask enable
Clock enable
Clock input
Power supply
Ground
Power supply for DQ
Ground for DQ
No connection
A0 to A12
BA0, BA1
DQ0 to DQ31
/CS
/RAS
/CAS
/WE
DQM0 to DQM3
CKE
CLK
VDD
VSS
VDDQ
VSSQ
NC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDL5132CBMA | 512M bits Mobile RAM MCP 2 pcs of 256Mb components (16M words x 32 bits) |
| EDS1232CABB | 128M bits SDRAM |
| EDS1232CASE-1A-E | ER 8C 7#16 1#12 PIN RECP LINE |
| EDS1232CASE-1AL-E | 128M bits SDRAM (4M words x 32 bits) |
| EDS1232AASE-60-E | 128M bits SDRAM (4M words x 32 bits) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDL6416CBBH | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:64M bits Mobile RAM? |
| EDL6416CBBH-75-F | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:64M bits Mobile RAM? |
| EDLC252520-351-2F-21 | 制造商:TDK 功能描述:CAP SUPER 350MF 3.2V SMD 制造商:TDK 功能描述:Supercapacitors / Ultracapacitors EDLC 350mF 5.5volts 70mOhm |
| EDLEN204A3R3S | 功能描述:超級電容/超級電容器 0.20F 3.3V RoHS:否 制造商:Murata 電容:350 mF 容差: 電壓額定值:4.2 V ESR:60 mOhms 工作溫度范圍:- 30 C to + 70 C 端接類型:SMD/SMT 引線間隔: 尺寸:18.5 mm W x 20.5 mm L x 3 mm H |
| EDLEN204B3R3S | 功能描述:超級電容/超級電容器 0.20F 3.3V RoHS:否 制造商:Murata 電容:350 mF 容差: 電壓額定值:4.2 V ESR:60 mOhms 工作溫度范圍:- 30 C to + 70 C 端接類型:SMD/SMT 引線間隔: 尺寸:18.5 mm W x 20.5 mm L x 3 mm H |
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