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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | EDL5132CBMA-10-E |
| 廠(chǎng)商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 512M bits Mobile RAM MCP 2 pcs of 256Mb components (16M words x 32 bits) |
| 中文描述： | 16M X 32 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 7 ns, PBGA90 |
| 封裝： | LEAD FREE, FBGA-90 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 19/62頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 570K |
| 代理商： | EDL5132CBMA-10-E |
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EDL5132CBMA
Preliminary Data Sheet E0490E30 (Ver. 3.0)
19
Function Truth Table
Current state
/CS /RAS /CAS /WE Address
Command
Action
Notes
Idle
H
×
×
×
×
×
DESL
Nop
L
H
H
H
NOP
Nop
L
H
H
L
×
BST
READ/READA
Nop
L
H
L
H
BA, CA, A10
ILLEGAL
2
L
H
L
L
BA, CA, A10
WRIT/ WRITA
ILLEGAL
2
L
L
H
H
BA, RA
ACT
→
Row activating
L
L
H
L
BA, A10
PRE/PALL
Nop
L
L
L
H
×
REF
Auto refresh
L
L
L
L
OC, BA1= L
MRS
Mode register set
L
L
L
L
OC, BA1= H
EMRS
Extended mode register set
Row active
H
×
×
×
×
DESL
Nop
L
H
H
H
×
NOP
Nop
L
H
H
L
×
BST
READ/READA
Nop
L
H
L
H
BA, CA, A10
Begin read
3
L
H
L
L
BA, CA, A10
WRIT/ WRITA
Begin write
3
L
L
H
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL
2
L
L
H
L
BA, A10
PRE/PALL
Precharge/Precharge all banks
4
L
L
L
H
×
REF
ILLEGAL
L
L
L
L
OC, BA
MRS/EMRS
ILLEGAL
Read
H
×
×
×
×
DESL
Continue burst to end
→
Row active
L
H
H
H
×
NOP
Continue burst to end
→
Row active
L
H
H
L
×
BST
Burst stop
→
Row active
L
H
L
H
BA, CA, A10
READ/READA
Terminate burst, begin new read
5
L
H
L
L
BA, CA, A10
WRIT/WRITA
Terminate burst, begin write
5, 6
L
L
H
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL
2
L
L
H
L
BA, A10
PRE/PALL
Terminate burst
→
Precharging
L
L
L
H
×
REF
ILLEGAL
L
L
L
L
OC, BA
MRS/EMRS
ILLEGAL
Write
H
×
×
×
×
DESL
Continue burst to end
→
Write recovering
L
H
H
H
×
NOP
Continue burst to end
→
Write recovering
L
H
H
L
×
BST
Burst stop
→
Row active
L
H
L
H
BA, CA, A10
READ/READA
Terminate burst, start read : Determine AP
5, 6
L
H
L
L
BA, CA, A10
WRIT/WRITA
Terminate burst, new write : Determine AP
5
L
L
H
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL
2
L
L
H
L
BA, A10
PRE/PALL
Terminate burst
→
Precharging
7
L
L
L
H
×
REF
ILLEGAL
L
L
L
L
OC, BA
MRS/EMRS
ILLEGAL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDL5132CBMA | 512M bits Mobile RAM MCP 2 pcs of 256Mb components (16M words x 32 bits) |
| EDS1232CABB | 128M bits SDRAM |
| EDS1232CASE-1A-E | ER 8C 7#16 1#12 PIN RECP LINE |
| EDS1232CASE-1AL-E | 128M bits SDRAM (4M words x 32 bits) |
| EDS1232AASE-60-E | 128M bits SDRAM (4M words x 32 bits) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDL6416CBBH | 制造商:ELPIDA 制造商全稱(chēng):Elpida Memory 功能描述:64M bits Mobile RAM? |
| EDL6416CBBH-75-F | 制造商:ELPIDA 制造商全稱(chēng):Elpida Memory 功能描述:64M bits Mobile RAM? |
| EDLC252520-351-2F-21 | 制造商:TDK 功能描述:CAP SUPER 350MF 3.2V SMD 制造商:TDK 功能描述:Supercapacitors / Ultracapacitors EDLC 350mF 5.5volts 70mOhm |
| EDLEN204A3R3S | 功能描述:超級(jí)電容/超級(jí)電容器 0.20F 3.3V RoHS:否 制造商:Murata 電容:350 mF 容差: 電壓額定值:4.2 V ESR:60 mOhms 工作溫度范圍:- 30 C to + 70 C 端接類(lèi)型:SMD/SMT 引線(xiàn)間隔: 尺寸:18.5 mm W x 20.5 mm L x 3 mm H |
| EDLEN204B3R3S | 功能描述:超級(jí)電容/超級(jí)電容器 0.20F 3.3V RoHS:否 制造商:Murata 電容:350 mF 容差: 電壓額定值:4.2 V ESR:60 mOhms 工作溫度范圍:- 30 C to + 70 C 端接類(lèi)型:SMD/SMT 引線(xiàn)間隔: 尺寸:18.5 mm W x 20.5 mm L x 3 mm H |
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