參數(shù)資料
型號(hào)： EDL5132CBMA-10-E
廠商： ELPIDA MEMORY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 512M bits Mobile RAM MCP 2 pcs of 256Mb components (16M words x 32 bits)
中文描述： 16M X 32 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 7 ns, PBGA90
封裝： LEAD FREE, FBGA-90
文件頁數(shù)： 28/62頁
文件大?。?/td> 570K
代理商： EDL5132CBMA-10-E
EDL5132CBMA
Preliminary Data Sheet E0490E30 (Ver. 3.0)
28
Address Bits of Bank-Select and Precharge
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A4
A5
A3
A2
A1
A0
Row
(Activate command)
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A4
A5
A3
A2
A1
A0
(Precharge command)
disables Auto-Precharge
(End of Burst)
enables Auto-Precharge
(End of Burst)
0
1
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A4
A5
A3
A2
A1
A0
Col.
(/CAS strobes)
x : Don’t care
Select Bank A
“Activate” command
Select Bank B
“Activate” command
Select Bank C
“Activate” command
Select Bank D
“Activate” command
0
0
1
1
0
1
0
1
BA1
BA0
BA1
BA0
BA1
0
0
1
1
x
BA0
0
1
0
1
x
Result
enables Read/Write
commands for Bank A
enables Read/Write
commands for Bank B
enables Read/Write
commands for Bank C
enables Read/Write
commands for Bank D
0
0
1
1
0
1
0
1
Result
Result
Precharge Bank A
Precharge Bank B
Precharge Bank C
Precharge Bank D
Precharge All Banks
A10
0
0
0
0
1
BA1
BA0
BA1
BA0
BA1
BA0
A12
A12
A12
相關(guān)PDF資料
PDF描述
EDL5132CBMA 512M bits Mobile RAM MCP 2 pcs of 256Mb components (16M words x 32 bits)
EDS1232CABB 128M bits SDRAM
EDS1232CASE-1A-E ER 8C 7#16 1#12 PIN RECP LINE
EDS1232CASE-1AL-E 128M bits SDRAM (4M words x 32 bits)
EDS1232AASE-60-E 128M bits SDRAM (4M words x 32 bits)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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EDLEN204B3R3S 功能描述:超級(jí)電容/超級(jí)電容器 0.20F 3.3V RoHS:否 制造商:Murata 電容:350 mF 容差: 電壓額定值:4.2 V ESR:60 mOhms 工作溫度范圍:- 30 C to + 70 C 端接類型:SMD/SMT 引線間隔: 尺寸:18.5 mm W x 20.5 mm L x 3 mm H
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