參數(shù)資料
型號： BUW12W
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon diffused power transistors
中文描述： 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247
封裝： PLASTIC, TO-247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 9/12頁
文件大?。?/td> 79K
代理商： BUW12W
1997 Aug 14
8
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon diffused power transistors
BUW12W; BUW12AW
Fig.13 Test circuit inductive load.
V
CL
= 300 V; V
CC
= 30 V; V
BE
=
5 V; L
B
= 1
μ
H; L
C
= 200
μ
H.
handbook, halfpage
MGE246
+
IB
VBE
LB
LC
VCC
D.U.T.
VCL
Fig.14 Switching time waveforms with
inductive load.
handbook, halfpage
MGE238
tr
90%
10%
IB
IB on
IB off
IC on
90%
10%
IC
t
t
ts
toff
tf
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PDF描述
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BY329-1500 Triac; Thyristor Type:Snubberless; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:400V; On State RMS Current, IT(rms):6A; Gate Trigger Current (QI), Igt:35mA; Current, It av:6A; Gate Trigger Current Max, Igt:35mA RoHS Compliant: Yes
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