參數(shù)資料
型號(hào)： BUW12W
廠(chǎng)商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： Silicon diffused power transistors
中文描述： 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247
封裝： PLASTIC, TO-247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 6/12頁(yè)
文件大?。?/td> 79K
代理商： BUW12W
1997 Aug 14
5
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon diffused power transistors
BUW12W; BUW12AW
Fig.3 Power derating curve.
handbook, halfpage
0
50
Tmb (
o
C)
100
150
0
40
80
MGD283
Ptot max
(%)
Fig.4 Reverse bias SOAR.
handbook, halfpage
0
400
IC
(A)
1200
VCE (V)
0
MGL174
800
5
BUW12W
BUW12AW
Fig.5
Test circuit for collector-emitter
sustaining voltage.
andbook, halfpage
MGE252
+
50 V
100 to 200
30 to 60 Hz
L
6 V
oscilloscope
vertical
horizontal
1
300
Fig.6
Oscilloscope display for collector-emitter
sustaining voltage.
handbook, halfpage
(mA)
MGE239
250
200
100
0
min
VCEOsust
VCE (V)
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PDF描述
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