參數(shù)資料
型號： BUW12W
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon diffused power transistors
中文描述： 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247
封裝： PLASTIC, TO-247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 10/12頁
文件大?。?/td> 79K
代理商： BUW12W
1997 Aug 14
9
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon diffused power transistors
BUW12W; BUW12AW
PACKAGE OUTLINE
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
SOT429
TO-247
97-06-11
0
10
20 mm
scale
Plastic single-ended package; heatsink mounted; 1 mounting hole; 3-lead TO-247
SOT429
E
P
A
A1
β
w
M
b
1
2
3
e
e
b1
b2
c
Q
q
L
Y
R
D
S
L1
(1)
Note
1. Terminals are uncontrolled within zone L1.
α
UNIT
A1
D
b
E
e
w
S
R
q
Q
P
L
Y
b2
b1
c
L1
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
A
β
α
mm
17
°
13
°
6
°
4
°
5.3
4.7
1.9
1.7
2.2
1.8
1.2
0.9
3.2
2.8
0.9
0.6
21
20
16
15
5.45
3.7
3.3
2.6
2.4
5.3
7.5
7.1
0.4
15.7
15.3
16
15
4.0
3.6
3.5
3.3
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