參數(shù)資料
型號： BUW12W
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon diffused power transistors
中文描述： 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247
封裝： PLASTIC, TO-247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大小： 79K
代理商： BUW12W
1997 Aug 14
4
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon diffused power transistors
BUW12W; BUW12AW
Fig.2 Forward bias SOAR.
T
mb
≤
25
°
C.
I - Region of permissible DC operation.
II - Permissible extension for repetitive pulse operation.
III - Area of permissible operation during turn-on in single transistor converters, provided R
BE
≤
100
and t
p
≤
0.6
μ
s.
IV - Repetitive pulse operation in this region is permissible provided V
BE
≤
0 and t
p
≤
2 ms.
(1) P
tot max
line.
(2) Second breakdown limits.
handbook, full pagewidth
MGB927
1
10
1
10
2
10
3
10
4
VCE (V)
10
10
1
10
3
10
2
10
2
10
3
IC
(A)
ICM max
IC max
BUW12W
BUW12AW
II
III
IV
(1)
(2)
DC
I
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PDF描述
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BUW85 Silicon diffused power transistors
BUX37 15 AMPERE NPN MONOLITHIC DARLINGTON POWER TRANSISTOR
BUX84S NPN high voltage Power transistor
BY329-1500 Triac; Thyristor Type:Snubberless; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:400V; On State RMS Current, IT(rms):6A; Gate Trigger Current (QI), Igt:35mA; Current, It av:6A; Gate Trigger Current Max, Igt:35mA RoHS Compliant: Yes
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