參數(shù)資料
型號： BUJD203AX
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN power transistor with integrated diode
中文描述： 4 A, 425 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220, FULL PACK-3
文件頁數(shù)： 7/14頁
文件大小： 200K
代理商： BUJD203AX
BUJD203AX
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Product data sheet
Rev. 01 — 27 September 2010
7 of 14
NXP Semiconductors
BUJD203AX
NPN power transistor with integrated diode
Fig 6.
Test circuit for collector-emitter sustaining
voltage
Fig 7.
Oscilloscope display for collector-emitter
sustaining voltage test waveform
Fig 8.
Collector-emitter saturation voltage as a
function of base current; typical values
Fig 9.
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
001aab987
horizontal
1
Ω
300
Ω
6 V
vertical
oscilloscope
50 V
100
Ω
to 200
Ω
30 Hz to 60 Hz
001aab988
V
CE
(V)
min
V
CEOsus
I
C
(mA)
10
100
250
0
I
B
(A)
10
2
10
1
10
1
001aab995
0.8
1.2
0.4
1.6
2.0
V
CEsat
(V)
0
I
C
= 1 A
2 A 3 A
4 A
001aab997
V
CEsat
(V)
I
C
(A)
10
1
10
1
0.2
0.1
0.3
0.4
0.5
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUJD203A NPN power transistor with integrated diode
BUK6207-55C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6209-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6210-55C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6211-75C N-channel TrenchMOS FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUJD203AX,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 425 V 4 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BU-JSB3100L 制造商:Fuji Electric 功能描述:
BUK 9575-100A 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Bulk
BUK100-50DL 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Logic level TOPFET
BUK100-50GL 功能描述:MOSFET RAIL TOPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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