參數(shù)資料
型號(hào)： BUJD203AX
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN power transistor with integrated diode
中文描述： 4 A, 425 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220, FULL PACK-3
文件頁(yè)數(shù)： 5/14頁(yè)
文件大小： 200K
代理商： BUJD203AX
BUJD203AX
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Product data sheet
Rev. 01 — 27 September 2010
5 of 14
NXP Semiconductors
BUJD203AX
NPN power transistor with integrated diode
5.
Thermal characteristics
6.
Isolation characteristics
Table 5.
Symbol
R
th(j-h)
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance from
junction to heatsink
thermal resistance from
junction to ambient
Conditions
with heatsink compound; see
Figure 5
Min
-
Typ
-
Max
4.8
Unit
K/W
R
th(j-a)
in free air
-
55
-
K/W
Fig 5.
Transient thermal impedance from junction to heatsink as a function of pulse duration
001aag169
10
2
10
1
1
10
Z
th(j-h)
(K/W)
10
3
t
p
(s)
10
6
10
2
10
10
3
10
5
1
10
1
10
2
10
4
t
p
t
p
1/f
1/f
P
t
δ
=
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0
Table 6.
Symbol
V
isol(RMS)
Isolation characteristics
Parameter
RMS isolation voltage
Conditions
50 Hz
≤
f
≤
60 Hz; RH
≤
65 %; T
h
= 25 °C;
from all terminals to external heatsink; clean
and dust free
T
h
= 25 °C; f = 1 MHz; from collector to
external heatsink
Min
-
Typ
-
Max
2500
Unit
V
C
isol
isolation capacitance
-
10
-
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUJD203A NPN power transistor with integrated diode
BUK6207-55C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6209-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6210-55C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6211-75C N-channel TrenchMOS FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUJD203AX,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 425 V 4 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BU-JSB3100L 制造商:Fuji Electric 功能描述:
BUK 9575-100A 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Bulk
BUK100-50DL 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Logic level TOPFET
BUK100-50GL 功能描述:MOSFET RAIL TOPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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