參數(shù)資料
型號： BUJD203AX
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN power transistor with integrated diode
中文描述： 4 A, 425 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220, FULL PACK-3
文件頁數(shù)： 3/14頁
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代理商： BUJD203AX
BUJD203AX
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Product data sheet
Rev. 01 — 27 September 2010
3 of 14
NXP Semiconductors
BUJD203AX
NPN power transistor with integrated diode
Fig 1.
Reverse bias safe operating area
Fig 2.
Test circuit for reverse bias safe operating area
Fig 3.
Normalized total power dissipation as a function of heatsink temperature
V
CEclamp
(V)
0
1000
800
400
600
200
001aac000
4
6
2
8
10
I
C
(A)
0
001aab999
DUT
L
C
L
B
I
Bon
V
BB
V
CC
V
CL(CE)
probe point
03aa13
0
40
80
120
0
50
100
150
200
T
h
(
°
C)
P
der
(%)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUJD203A NPN power transistor with integrated diode
BUK6207-55C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6209-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6210-55C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6211-75C N-channel TrenchMOS FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUJD203AX,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 425 V 4 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BU-JSB3100L 制造商:Fuji Electric 功能描述:
BUK 9575-100A 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Bulk
BUK100-50DL 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Logic level TOPFET
BUK100-50GL 功能描述:MOSFET RAIL TOPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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