參數(shù)資料
型號： BUJD203AX
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN power transistor with integrated diode
中文描述： 4 A, 425 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220, FULL PACK-3
文件頁數(shù)： 4/14頁
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代理商： BUJD203AX
BUJD203AX
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Product data sheet
Rev. 01 — 27 September 2010
4 of 14
NXP Semiconductors
BUJD203AX
NPN power transistor with integrated diode
1)P
tot
maximum and P
tot
peak maximum lines
2)Second breakdown limits
3) I = Region of permissable DC operation
II = Extension for repetitive pulse operation
III = Extension during turn-on in single transistor converters
provided that R
BE
≤
100
and t
p
≤
0.6
μ
s
Forward bias safe operating area for T
mb
≤
25 °C
Fig 4.
001aac001
10
1
10
2
10
1
10
2
I
C
(A)
10
3
V
CEclamp
(V)
1
10
3
10
2
10
(1)
100
μ
s
200
μ
s
500
μ
s
DC
I
(3)
t
p
= 20
μ
s
duty cycle = 0.01
50
μ
s
II
(3)
III
(3)
(2)
I
CM(max)
I
C(max)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUJD203A NPN power transistor with integrated diode
BUK6207-55C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6209-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6210-55C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6211-75C N-channel TrenchMOS FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUJD203AX,127 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 425 V 4 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BU-JSB3100L 制造商:Fuji Electric 功能描述:
BUK 9575-100A 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Bulk
BUK100-50DL 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Logic level TOPFET
BUK100-50GL 功能描述:MOSFET RAIL TOPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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