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參數(shù)資料
| 型號： | BUJD203AX |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN power transistor with integrated diode |
| 中文描述： | 4 A, 425 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220, FULL PACK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 14/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 200K |
| 代理商： | BUJD203AX |
NXP Semiconductors
BUJD203AX
NPN power transistor with integrated diode
NXP B.V. 2010.
All rights reserved.
For more information, please visit: http://www.nxp.com
For sales office addresses, please send an email to: salesaddresses@nxp.com
Date of release: 27 September 2010
Document identifier: BUJD203AX
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described herein, have been included in section ‘Legal information’.
12. Contents
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1.1
1.2
1.3
1.4
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3
4
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8
9
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10.1
10.2
10.3
10.4
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Product profile . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1
General description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1
Features and benefits. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1
Applications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1
Quick reference data . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1
Pinning information. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2
Ordering information. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2
Limiting values. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2
Thermal characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5
Isolation characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5
Characteristics. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6
Package outline . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .10
Revision history. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .11
Legal information. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12
Data sheet status . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12
Definitions. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12
Disclaimers. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12
Trademarks. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .13
Contact information. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .13
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUJD203A | NPN power transistor with integrated diode |
| BUK6207-55C | N-channel TrenchMOS intermediate level FET |
| BUK6209-30C | N-channel TrenchMOS intermediate level FET |
| BUK6210-55C | N-channel TrenchMOS intermediate level FET |
| BUK6211-75C | N-channel TrenchMOS FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUJD203AX,127 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 425 V 4 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BU-JSB3100L | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| BUK 9575-100A | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Bulk |
| BUK100-50DL | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Logic level TOPFET |
| BUK100-50GL | 功能描述:MOSFET RAIL TOPFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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