- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄166231 > AS4LC256K16E0-60JC (ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORP) 256K X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO40 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | AS4LC256K16E0-60JC |
| 廠商： | ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256K X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO40 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40 |
| 文件頁數(shù)： | 3/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 660K |
| 代理商： | AS4LC256K16E0-60JC |
AS4LC256K16EO
2/25/02; V.1.2
Alliance Semiconductor
P. 11 of 24
Upper byte write cycle waveform
(OE controlled)
Lower byte write cycle waveform
(OE controlled)
W5$6
W5&
W53
W5$/
W5$'
W$6&
W&$+
W&6+
W&53
W53&
W5:/
W:3
W2(+
W'6
W'+
W2('
5RZ $GGUHVV
&ROXPQ $GGUHVV
'DWD,Q
5$6
Address
8&$6
/&$6
:(
2(
Upper I/O
Lower I/O
W&53
W$:5
W5$+
W5&'
W56+
W&:/
W$65
W&$6
W5&
W5$6
W53
W5$+
W5$'
W$&6
W&$+
W56+
W&6+
W&53
W53&
W5:/
W:3
W2(+
W'6
W'+
5RZ $GGUHVV
&ROXPQ $GGUHVV
'DWD,Q
RAS
Address
LCAS
UCAS
WE
OE
Upper I/O
Lower I/O
W&53
W5&'
W&$6
W&:/
W$:5
W5$/
W$65
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AS5LC1008DJ-12/XT | 128K x 8 SRAM High-Speed CMOS SRAM with 3.3V Revolutionary Pinout |
| AS5LC1008DJ-15/IT | 128K x 8 SRAM High-Speed CMOS SRAM with 3.3V Revolutionary Pinout |
| AS5LC1008DJ-15/XT | High-Speed CMOS SRAM with 3.3V Revolutionary Pinout |
| AS5LC1008DJ-20/IT | 128K x 8 SRAM High-Speed CMOS SRAM with 3.3V Revolutionary Pinout |
| AS5LC1008DJ-20/XT | 128K x 8 SRAM High-Speed CMOS SRAM with 3.3V Revolutionary Pinout |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AS4LC256K16E0-60TC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 EDO Page Mode DRAM |
| AS4LC256K16EO | 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:3.3V 256K X 16 CMOS DRAM (EDO) |
| AS4LC256K16EO-35 | 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:3.3V 256K X 16 CMOS DRAM (EDO) |
| AS4LC256K16EO-35TC | 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:3.3V 256K X 16 CMOS DRAM (EDO) |
| AS4LC256K16EO-45TC | 制造商:ALSC 制造商全稱:Alliance Semiconductor Corporation 功能描述:3.3V 256K X 16 CMOS DRAM (EDO) |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。