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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AS4LC256K16E0-60JC |
| 廠(chǎng)商： | ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 256K X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO40 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 19/24頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 660K |
| 代理商： | AS4LC256K16E0-60JC |
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AS4LC256K16EO
2/25/02; V.1.2
Alliance Semiconductor
P. 4 of 24
$& SDUDPHWHUVFRPPRQWRDOOZDYHIRUPV
Read cycle
Std Symbol
Parameter
-45
-50
-60
Unit
Notes
Min
Max
Min
Max
Min
Max
tRC
Random read or write cycle time
80
–
80
–
100
–
ns
tRP
RAS precharge time
20
–
20
–
20
–
ns
tRAS
RAS pulse width
45
75K
45
75K
60
75K
ns
tCAS
CAS pulse width
10
–
10
–
10
–
ns
tRCD
RAS to CAS delay time
18
32
18
32
15
45
ns
6
tRAD
RAS to column address delay time
13
23
13
23
15
30
ns
7
tRSH(R)
CAS to RAS hold time (read cycle)
10
–
10
–
12
–
ns
tCSH
RAS to CAS hold time
45
–
50
–
60
–
ns
tCRP
CAS to RAS precharge time
5
–
5
–
5
–
ns
tASR
Row address setup time
0
–
0
–
0
–
ns
tRAH
Row address hold time
8
–
8
–
9
–
ns
tT
Transition time (rise and fall)
1.5
50
1.5
50
1.5
50
ns
4,5
tREF
Refresh period
–
8
–
8
–
8
ms
3
tCLZ
CAS to output in low Z
3
–
3
–
3
–
ns
8
Std Symbol
Parameter
-45
-50
-60
Unit
Notes
Min
Max
Min
Max
Min
Max
tRAC
Access time from RAS
–45
–
50
–
60
ns
6
tCAC
Access time from CAS
–
10
–
10
–
10
ns
6,13
tAA
Access time from address
–
22
–
22
–
30
ns
7,13
tAR(R)
Column add hold from RAS
35
–
35
–
40
–
ns
tRCS
Read command setup time
0
–
0
–
0
–
ns
tRCH
Read command hold time to CAS
0–
0
–
0
–
ns
9
tRRH
Read command hold time to RAS
0–
0
–
0
–
ns
9
tRAL
Column address to RAS Lead time
25
–
25
–
30
–
ns
tCPN
CAS precharge time
5
–
5
–
5
–
ns
tOFF
Output buffer turn-off time
0
10
0
10
0
10
ns
8,10
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