Revision 13 2-79 Timing Characteristics Figure 2-22 Output DDR Timing Diagram 11 6 1 7 2 8 3 910 45 28 " />
參數(shù)資料
型號(hào)： A3P125-1VQ100T
廠商： Microsemi SoC
文件頁數(shù)： 214/220頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC FPGA 1KB FLASH 125K 100-VQFP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 90
系列： ProASIC3
RAM 位總計(jì)： 36864
輸入/輸出數(shù)： 71
門數(shù)： 125000
電源電壓： 1.425 V ~ 1.575 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： -40°C ~ 125°C
封裝/外殼： 100-TQFP
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 100-VQFP（14x14）
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁第205頁第206頁第207頁第208頁第209頁第210頁第211頁第212頁第213頁當(dāng)前第214頁第215頁第216頁第217頁第218頁第219頁第220頁
ProASIC3 Flash Family FPGAs
Revision 13
2-79
Timing Characteristics
Figure 2-22 Output DDR Timing Diagram
11
6
1
7
2
8
3
910
45
28
3
9
tDDROREMCLR
tDDROHD1
tDDROREMCLR
tDDROHD2
tDDROSUD2
tDDROCLKQ
tDDRORECCLR
CLK
Data_R
Data_F
CLR
Out
tDDROCLR2Q
710
4
Table 2-104 Output DDR Propagation Delays
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.425 V
Parameter
Description
–2
–1
Std. Units
tDDROCLKQ
Clock-to-Out of DDR for Output DDR
0.70 0.80 0.94
ns
tDDROSUD1
Data_F Data Setup for Output DDR
0.38 0.43 0.51
ns
tDDROSUD2
Data_R Data Setup for Output DDR
0.38 0.43 0.51
ns
tDDROHD1
Data_F Data Hold for Output DDR
0.00 0.00 0.00
ns
tDDROHD2
Data_R Data Hold for Output DDR
0.00 0.00 0.00
ns
tDDROCLR2Q
Asynchronous Clear-to-Out for Output DDR
0.80 0.91 1.07
ns
tDDROREMCLR
Asynchronous Clear Removal Time for Output DDR
0.00 0.00 0.00
ns
tDDRORECCLR
Asynchronous Clear Recovery Time for Output DDR
0.22 0.25 0.30
ns
tDDROWCLR1
Asynchronous Clear Minimum Pulse Width for Output DDR
0.22 0.25 0.30
ns
tDDROCKMPWH
Clock Minimum Pulse Width High for the Output DDR
0.36 0.41 0.48
ns
tDDROCKMPWL
Clock Minimum Pulse Width Low for the Output DDR
0.32 0.37 0.43
ns
FDDOMAX
Maximum Frequency for the Output DDR
350
309
263
MHz
Note: For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-6 for derating values.
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