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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | WED3DL3216V10BI |
| 廠商： | MICROSEMI CORP-PMG MICROELECTRONICS |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA119 |
| 封裝： | 17 X 23 MM, MO-163, BGA-119 |
| 文件頁數(shù)： | 17/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 989K |
| 代理商： | WED3DL3216V10BI |
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24
White Electronic Designs Corporation (602) 437-1520 www.whiteedc.com
White Electronic Designs
WED3DL3216V
November, 2005
Rev. 1
White Electronic Designs Corp. reserves the right to change products or specications without notice.
ACTIVE/PRECHARGE POWER DOWN MODE @ CAS LATENCY = 2, BURST LENGTH = 4
NOTES:
1.
Both banks should be in idle state prior to entering precharge power down mode.
2.
CKE should be set high at least 1 CK + tSS prior to Row active command.
3.
Cannot violate minimum refresh specication (64ms).
CLOCK
CKE
CE#
RAS#
CAS#
ADDR
BA
A10/AP
WE#
DQM
01
2
3
4
56
78
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
DON’T CARE
DQ
Row Active
Precharge
Power-Down
Entry
Note 2
tSS
Ra
Ca
Ra
Qa0
Qa1
tSHZ
Read
Note 1
Note 3
tSS
Note 1
Qa2
Note 3
Note 1
Precharge
Power-Down
Exit
Active
Power-Down
Entry
Active
Power-Down
Exit
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WS1M8-17CCA | 1M X 8 STANDARD SRAM, 17 ns, CDIP32 |
| W39F010Q-70 | 128K X 8 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO32 |
| WED3DG6464V75D2 | 64M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, DMA168 |
| W3E16M64S-250BC | 16M X 64 DDR DRAM, 0.8 ns, PBGA219 |
| WE128K8-250CM | EEPROM 5V MODULE, CDIP32 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| WED3DL3216V10ES | 制造商:WEDC 制造商全稱:White Electronic Designs Corporation 功能描述:16Mx32 SDRAM |
| WED3DL3216V7BC | 制造商:WEDC 制造商全稱:White Electronic Designs Corporation 功能描述:16Mx32 SDRAM |
| WED3DL3216V7BI | 制造商:WEDC 制造商全稱:White Electronic Designs Corporation 功能描述:16Mx32 SDRAM |
| WED3DL3216V7ES | 制造商:WEDC 制造商全稱:White Electronic Designs Corporation 功能描述:16Mx32 SDRAM |
| WED3DL3216V8BC | 制造商:WEDC 制造商全稱:White Electronic Designs Corporation 功能描述:16Mx32 SDRAM |
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