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參數資料
| 型號： | WED3DL3216V10BI |
| 廠商： | MICROSEMI CORP-PMG MICROELECTRONICS |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA119 |
| 封裝： | 17 X 23 MM, MO-163, BGA-119 |
| 文件頁數： | 11/27頁 |
| 文件大小： | 989K |
| 代理商： | WED3DL3216V10BI |
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19
White Electronic Designs Corporation (602) 437-1520 www.whiteedc.com
White Electronic Designs
WED3DL3216V
November, 2005
Rev. 1
White Electronic Designs Corp. reserves the right to change products or specications without notice.
READ & WRITE CYCLE WITH AUTO PRECHARGE @ BURST LENGTH = 4
NOTE:
1.
tCDL should be controlled to meet minimum tRAS before internal precharge start. (in the case of Burst Length = 1 & 2 and BRSW mode)
CLOCK
CKE
CE#
RAS#
CAS#
ADDR
BA
A10/AP
CL = 2
WE#
DQM
01
2
3
4
56
78
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
DON’T CARE
DQ
CL = 3
Row Active
(A-Bank)
Auto Precharge
Start Point
(B-Bank)
Auto Precharge
Start Point
(A-Bank)
Row Active
(B-Bank)
HIGH
Rb
Ra
Rb
Cb
Ra
Db2
Qa0
Qa1
Qa2
Db2
Qa0
Qa1
Qa2
Db1
Db0
Db3
Qa3
Db1
Db0
Db3
Qa3
Write with
Auto Precharge
(B-Bank)
Read with
Auto Precharge
(A-Bank)
Ca
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WS1M8-17CCA | 1M X 8 STANDARD SRAM, 17 ns, CDIP32 |
| W39F010Q-70 | 128K X 8 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO32 |
| WED3DG6464V75D2 | 64M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, DMA168 |
| W3E16M64S-250BC | 16M X 64 DDR DRAM, 0.8 ns, PBGA219 |
| WE128K8-250CM | EEPROM 5V MODULE, CDIP32 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| WED3DL3216V10ES | 制造商:WEDC 制造商全稱:White Electronic Designs Corporation 功能描述:16Mx32 SDRAM |
| WED3DL3216V7BC | 制造商:WEDC 制造商全稱:White Electronic Designs Corporation 功能描述:16Mx32 SDRAM |
| WED3DL3216V7BI | 制造商:WEDC 制造商全稱:White Electronic Designs Corporation 功能描述:16Mx32 SDRAM |
| WED3DL3216V7ES | 制造商:WEDC 制造商全稱:White Electronic Designs Corporation 功能描述:16Mx32 SDRAM |
| WED3DL3216V8BC | 制造商:WEDC 制造商全稱:White Electronic Designs Corporation 功能描述:16Mx32 SDRAM |
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