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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | W25X80AVDAIZ |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 1M X 8 FLASH 2.7V PROM, PDIP8 |
| 封裝： | 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8 |
| 文件頁數(shù)： | 25/45頁 |
| 文件大小： | 1344K |
| 代理商： | W25X80AVDAIZ |
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W25X10A, W25X20A, W25X40A, W25X80A
Publication Release Date: August 7, 2009
- 31 -
Revision F
11. ELECTRICAL CHARACTERISTICS
11.1 Absolute Maximum Ratings (1)
PARAMETERS
SYMBOL
CONDITIONS
RANGE
UNIT
Supply Voltage
VCC
–0.6 to +4.0
V
Voltage Applied to Any Pin
VIO
Relative to Ground
–0.6 to VCC +0.4
V
Transient Voltage on any Pin
VIOT
<20nS Transient
Relative to Ground
–2.0V to VCC+2.0V
V
Storage Temperature
TSTG
–65 to +150
°C
Lead Temperature
TLEAD
See Note (2)
°C
Electrostatic Discharge Voltage
VESD
Human Body Model(3)
–2000 to +2000
V
Notes:
1. The device has been designed and tested for the specified operation ranges. Proper operation
outside of these levels is not guaranteed. Exposure to absolute maximum ratings may affect device
reliability. Exposure beyond absolute maximum ratings may cause permanent damage.
2. Compliant with JEDEC Standard J-STD-20C for small body Sn-Pb or Pb-free (Green) assembly
and the European directive on restrictions on hazardous substances (RoHS) 2002/95/EU.
3. JEDEC Std JESD22-A114A (C1=100 pF, R1=1500 ohms, R2=500 ohms).
11.2 Operating Ranges
SPEC
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
MAX
UNIT
Supply Voltage(1)
VCC
FR0 = 75MHz, fR = 50MHz
FR1 = 100MHz, fR = 50MHz
2.7
3.0
3.6
V
Ambient Temperature,
Operating
TA
Commercial
(2)
Industrial
0
–40
+70
+85
°C
Note:
1. VCC voltage during Read can operate across the min and max range but should not exceed ±10%
of the programming (erase/write) voltage.
2. Commercial temperature only applies to Fast Read (FR1) and 100K cycles endurance for 4K byte
sectors . Industrial temperature applies to all other parameters.
11.3 Power-up Timing and Write Inhibit Threshold
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W25X80ALSSIG | 1M X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO8 |
| W25X40ALDAIZ | 512K X 8 FLASH 2.7V PROM, PDIP8 |
| W25X10ALSNIG | 128K X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO8 |
| W27C257P-12 | 32K X 8 EEPROM 12V, 120 ns, PQCC32 |
| W27L01-70 | 128K X 8 EEPROM 12V, 70 ns, PDIP32 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W25X80AVSNIG | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M-BIT, 2M-BIT, 4M-BIT AND 8M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH 4KB SECTORS AND DUAL OUTPUT SPI |
| W25X80AVSSIG | 功能描述:IC FLASH 16MBIT 100MHZ 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:SpiFlash® 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| W25X80AVZPIG | 功能描述:IC FLASH 16MBIT 100MHZ 8WSON RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:SpiFlash® 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| W25X80L | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M-BIT, 2M-BIT, 4M-BIT AND 8M-BIT 2.5V SERIAL FLASH MEMORY WITH 4KB SECTORS AND DUAL OUTPUT SPI |
| W25X80LDAC | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1M-BIT, 2M-BIT, 4M-BIT AND 8M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH 4KB SECTORS AND DUAL OUTPUT SPI |
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