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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | W25Q16DWSFIG |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 16M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO16 |
| 封裝： | 0.300 INCH, GREEN, PLASTIC, SOIC-16 |
| 文件頁數(shù)： | 72/83頁 |
| 文件大?。?/td> | 1268K |
| 代理商： | W25Q16DWSFIG |
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W25Q16DW
- 74 -
11.7 AC Electrical Characteristics (cont’d)
DESCRIPTION
SYMBOL
ALT
SPEC
UNIT
MIN
TYP
MAX
/HOLD Active Hold Time relative to CLK
tCHHH
5
ns
/HOLD Not Active Setup Time relative to CLK
tHHCH
5
ns
/HOLD Not Active Hold Time relative to CLK
tCHHL
5
ns
/HOLD to Output Low-Z
tHHQX(2)
tLZ
7
ns
/HOLD to Output High-Z
tHLQZ(2)
tHZ
12
ns
Write Protect Setup Time Before /CS Low
tWHSL(3)
20
ns
Write Protect Hold Time After /CS High
tSHWL(3)
100
ns
/CS High to Power-down Mode
tDP(2)
3
s
/CS High to Standby Mode without Electronic
Signature Read
tRES1(2)
30
s
/CS High to Standby Mode with Electronic Signature
Read
tRES2(2)
30
s
/CS High to next Instruction after Suspend
tSUS(2)
20
s
/CS High to next Instruction after Reset
tRST(2)
30
s
Write Status Register Time
tW
10
15
ms
Byte Program Time (First Byte) (4)
tBP1
20
50
s
Additional Byte Program Time (After First Byte) (4)
tBP2
2.5
10
s
Page Program Time
tPP
0.7
3
ms
Sector Erase Time (4KB)
tSE
30
200/400(5)
ms
Block Erase Time (32KB)
tBE1
120
800
ms
Block Erase Time (64KB)
tBE2
150
1,000
ms
Chip Erase Time
tCE
3
10
s
Notes:
1.
Clock high + Clock low must be less than or equal to 1/fC.
2.
Value guaranteed by design and/or characterization, not 100% tested in production.
3.
Only applicable as a constraint for a Write Status Register instruction when Sector Protect Bit is set to 1.
4.
For multiple bytes after first byte within a page,
tBPN = tBP1 + tBP2 * N (typical) and tBPN = tBP1 + tBP2 * N (max), where N =
number of bytes programmed.
5.
Max Value tSE with <50K cycles is 200ms and >50K & <100K cycles is 400ms.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WMF128K8-90FFC5 | 128K X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, CDSO32 |
| WMF128K8-70CLC5 | 128K X 8 FLASH 5V PROM, 70 ns, CQCC32 |
| WS128K64V-20G4WM | 1M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 20 ns, CQMA116 |
| WS512K32-20G2M | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 20 ns, CQFP68 |
| WS512K32F-25G4TM | 2M X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 25 ns, QMA68 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W25Q16DWSFIP | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1.8V 16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI |
| W25Q16DWSNIG | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1.8V 16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI |
| W25Q16DWSNIP | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1.8V 16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI |
| W25Q16DWSSIG | 功能描述:IC FLASH SPI 16MBIT 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:SpiFlash® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) |
| W25Q16DWSSIP | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:1.8V 16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI & QPI |
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