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參數(shù)資料
| 型號： | T431616B-10S |
| 廠商： | TM Technology, Inc. |
| 英文描述： | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 100萬× 16內(nèi)存為512k × 16Bit的X 2Banks同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 15/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 567K |
| 代理商： | T431616B-10S |
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TE
CH
tm
*note : 1. All input expect CKE & DQM can be don’t care when CS is high at the CLK high going edge.
T431616B
Taiwan Memory Technology, Inc. reserves the right
P.15
to change products or specifications without notice.
Publication Date: JUL. 2001
Revision:A
2. Bank active & read/write are controlled by BA.
BA
Active & Read/Write
0
Bank A
1
Bnak B
3. Enable and disable auto precharge function are controlled by A
10
/AP in read/wirte command.
A
10
/AP BA
Operation
0
Disable auto precharge,leave bank A active at end of burst.
0
1
Disable auto precharge,leave bank B active at end of burst.
0
Enable auto precharge, precharge bank A at end of burst.
1
1
Enable auto precharge, precharge bank B at end of burst.
4. A
10
/AP and BA control bank precharge when precharge command is asserted.
A
10
/AP BA
precharge
0
0
Bank A
0
1
Bank B
1
X
Both Banks
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T431616B-20C | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616B-20S | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616C | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616C-6S | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616C-6SG | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| T431616B-20C | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616B-20S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616C | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616C-6S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616C-6SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
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