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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | T431616B-10S |
| 廠商： | TM Technology, Inc. |
| 英文描述： | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 100萬(wàn)× 16內(nèi)存為512k × 16Bit的X 2Banks同步DRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/31頁(yè) |
| 文件大小： | 567K |
| 代理商： | T431616B-10S |
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TE
CH
tm
FREQUENCY vs. AC PARAMETER RELATIONAHIP TABLE
T431616B-20S (Unit : number of clock)
t
RC
t
RAS
Frequency
Latency 130ns
80ns
50MHz(20.0ns)
3
7
4
50MHz(20.0ns)
2
7
4
25MHz(40.0ns)
1
4
2
T431616B-10S (Unit : number of clock)
t
RC
t
RAS
Frequency
Latency
70ns
50ns
100MHz(10.0ns)
2
7
5
83MHz(12.0ns)
2
7
5
75MHz(13.0ns)
2
6
4
66MHz(15.0ns)
2
6
4
60MHz(16.7ns)
2
5
3
base
T431616B
Taiwan Memory Technology, Inc. reserves the right
P.10
to change products or specifications without notice.
Publication Date: JUL. 2001
Revision:A
t
RP
40ns
2
2
1
t
RRD
40ns
2
2
1
t
RCD
40ns
2
2
1
t
CCD
20ns
1
1
1
t
CDL
20ns
1
1
1
t
RDL
40ns
2
2
1
CAS
t
RP
20ns
2
2
2
2
2
t
RRD
20ns
2
2
2
2
2
t
RCD
20ns
2
2
2
2
2
t
CCD
10ns
1
1
1
1
1
t
CDL
10ns
1
1
1
1
1
t
RDL
20ns
2
2
2
2
2
CAS
Note : 1. Clock count formula : clock
≥
period
clock
value
(round off whole number).
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T431616B-20C | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616B-20S | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616C | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616C-6S | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616C-6SG | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| T431616B-20C | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616B-20S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616C | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616C-6S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616C-6SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
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